时 间:2020年10月19日14时00分

腾讯会议ID:801 507 715

主办单位:前沿交叉学科研究院

协办单位:物理学院

金属硫化合物的埃尺度直接图像化——过去、现在和将来

主讲人:Dr. M. S. M. Saifullah

分子束外延和二维材料生长技术使原子分辨率厚度的控制成为可能。许多这样的薄膜材料现在都是有源器件技术，从基于量子阱的led，高电子迁移率晶体管，到逻辑和存储设备中的栅极氧化物。与对材料厚度的良好可控制备相比，我们对其横向(平面内)尺寸的掌握要差得多。事实上，在半导体器件制备中的一个新的“工艺节点”时，所有横向材料工程方面的增量改进都是周期性的——最新的是苹果的A14仿生芯片，它采用5nm工艺节点制造。

目前，最先进的光刻和电子束光刻所能达到的横向分辨率约为7纳米，这比我们对材料厚度的控制要差25倍。随着光刻技术的稳步发展，我们可以预测未来4-6年内将会出现3nm和2nm制程节点，届时设备特性的功效将会变得非常小，一系列量子力学性质将会主要影响其性能。到目前为止，还没有任何实验方法可以使材料的制备和测试达到这样的精度。在这里，我们认为材料图像与横向尺寸的限制很重要。本次报告将进行一个历史概述，说明研究是如何严格调控化学功能材料直接成像，从金属氧化物到硫化物，最后到硒化物，同时将横向尺寸降至10纳米以下的。报告中还将说明电子束光刻技术，这是一种无掩模制版技术，与独特的抗剂结合，不需要升空步骤，可以直接制版功能材料，如金属硫系化合物，可以有效地形成埃尺寸的制版。这种尺寸的成像将开启具有深远影响的科学研究的新思路。

主讲人简介：

M. S. M. Saifullah博士目前是新加坡星级科学、技术和研究机构材料与研究工程研究所高级科学家。他获得了文学硕士学位。1994年以优异的成绩获得印度班加罗尔印度科学院冶金系学士学位。在获得著名的剑桥尼赫鲁奖学金后，他加入了剑桥大学材料科学与冶金系攻读博士学位，期间他也是英国志奋领学者。1997年获得博士学位后，他在日本厚杉市NTT基础研究实验室设备物理实验室工作了两年，担任研究员。2000年6月，他加入剑桥大学工程系研究助理。两年后，他成为IRC研究员，并在英国剑桥大学纳米科学中心的跨学科纳米技术研究协作中心担任纳米制造项目负责人。他主要研究方向为光刻(电子束光刻、纳米压印光刻、纳米注射成型)、材料化学和纳米尺度材料的性质。他是发展电子束和奈米压印技术的非常规直接书写氧化物电阻的早期先驱。他目前的研究是用电子束光刻技术对金属硫系化合物(硫化物、硒化物和碲化物)和卤化物钙钛矿直接进行埃尺寸级成像，以研究其材料性质。发表了57篇论文，其中大约一半发表在《科学》、《先进材料》、《ACS纳米》、《纳米快报》、《科学进展》、《先进功能材料》、《能源与环境科学》、《ACS应用材料与界面》和《纳米尺度》等期刊上。(每篇文章平均被引频次30,h-index = 21)。