2月27日下午，超瞬态前沿科学中心邀请中科院上海微系统所乔山教授，通过在线方式进行学术交流，并做了题为“量子材料的自旋相关电子状态研究及同步辐射装置建设”的学术报告，相关学院部分师生各自通过网络参加了此次前沿学术交流会。

首先，乔山教授介绍了其团队自主研发的多通道电子自旋分析器，单通道自旋探测效率为8.7×10^-3，比目前商用产品提高至少两个数量级，利用这种先进手段其团队发现了β-PdBi2体系费米面附近复杂的自旋分布以及PtBi2体系新奇的三维Rashba效应。随后，乔山教授介绍了同步辐射的基础知识，以及他们研发的新型APPLE-Knot波荡器及超高分辨同步辐射束线的建设工作。最后，乔山教授聚焦在基于同步辐射的量子反常霍尔体系的研究，包括拓扑绝缘体V0.04Sb2Te3体系反常的电子超快过程。

讲座结束后，师生们与乔山教授在线进行了深入的交流和讨论，学术氛围浓厚。通过这次学术交流会，拓宽了师生在同步辐射装置和能谱测量的认知，具有非常重要的学术指导意义。

主讲人简介：

乔山教授，1984年中国科学技术大学学士；1987年中国科学院高能物理所获得硕士学位；1997年日本东京大学获得博士学位。2008年-2013年复旦大学特聘研究员；2013年至今担任中科院上海微系统所研究员。其长期从事基于同步辐射的方法学与凝聚态物理研究。发明了APPLE-Knot波荡器，解决了第3代同步辐射光源的高热负载问题。发明了图像性多通道电子自旋分析器并以此为基础搭建了一套超高效率自旋分辨光电子谱仪，将完全改变自旋分辨光电子谱学的现状。开展了磁性掺杂拓扑绝缘体的研究，给出了3d掺杂原子的占位及近邻结构信息，并利用XMCD首次明确了量子反常霍尔材料的铁磁性形成机理。