2022年4月21日下午，前沿院量子材料与器件研究中心在虎溪校区LE201线上线下同步开展了“量子前沿”系列学术讲座（一），南京大学缪峰教授、量子材料与器件研究中心特聘教授丁浩和洪德顺副教授分别作了题为“面向未来计算的二维材料物性调控与信息器件研究”、“量子霍尔铁电体系的扫描隧道显微镜观测”和“Epitaxial growth of Kagome semimetal Mn3Ge”的学术报告。量子材料与器件研究中心副主任孙阳教授主持本次讲座，学校相关专业师生、其他高校院所相关研究人员参加了此次报告会。
缪峰教授针对电子器件研究面临的难点，包括摩尔定律的终结，微纳器件使用过程总的功耗墙和存储墙，给出了基于二维材料器件的解决方案，如通过基于Graphene/MoS2/Graphene结构的二维材料忆阻器，基于WSe2阵列的类视觉神经器件和基于X-bar形式结构以及利用频分复用计算方案的大规模并行计算。
随后，丁浩教授详细介绍了在Bi单晶中利用STM观测到的朗道能级，以及交换相互作用引起的6重谷电子能级的简并消除，产生谷极化的实验证据，并结合理论计算证实了，由于谷在k空间中并不是严格的椭圆形分布，而是打破中心反演的泪滴形，系统呈现出具有面内电偶极矩的量子霍尔铁电相。
最后，洪德顺副教授讲述了其运用分子束外延方法成功制备了高质量的kagome半金属Mn3Ge单晶薄膜，研究其反常霍尔效应与反常能斯特效应，最终揭示出其最根本的物理本质。
报告会后，与会师生针对MoS2忆阻器件中的MoS2的氧掺杂；谷自由度如何通过电子相互作用诱导出丰富的自发对称性破缺相；分子束外延方法在实验和理论中如何运用等内容与报告人展开了深入的交流和讨论。通过这次学术交流，拓展了师生的学术视野，加强了研究生对量子材料与器件方面的前沿进展认识。
