2020年6月3日下午，量子材料与器件研究中心邀请北京量子信息科学研究院吴锐副研究员在虎溪校区理学部LA104报告厅为相关专业师生作了题为“垂直取向纳米复合薄膜中电场对磁性的原位调控”的学术报告。本次报告会由前沿院量子材料与器件研究中心孙阳教授主持，相关学科师生参加了报告会。
吴锐副研究员首先介绍了通过构造铁电材料和铁磁材料复合形成的纳米器件，实现对电场控制磁性的设想，能够有效地应用于（非易失性存储元件）MRAM；通过激光脉冲沉积的方式，结合AAO模板，能够实现在铁磁基体上的铁电材料生长。随后，吴锐副研究员就其发表在Nature Nanotechnology上关于交换偏置效应方面的工作进行了详细介绍。课题组将磁电耦合效应与自偏置效应结合，通过原位电场下XRD测试等手段，证明了自偏置在提高磁电耦合效应方面的作用。最后，吴锐副研究员分享了其在反铁磁自旋电子学方面的进展，介绍了反铁磁材料作为自旋电子器件具有的进动频率高，对外电场不敏感和绝缘等优势，具有较高的研究和应用价值。
报告会后，吴锐副研究员就与会师生提出的关于磁电耦合材料测试方法和结果、可能的候选材料、非易失性的来源、薄膜的制备方法中漏电的来源和不同测试方法的影响等方面进行了交流讨论。通过这次学术交流，与会师生对铁电材料和磁电耦合有了深刻的认识。
